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Limiting step involved in the thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide

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Limiting step involved in the thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide

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Título Limiting step involved in the thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide
Autor Vickridge, Ian
Trimaille, Isabelle
Ganem, Jean-Jacques
Rigo, Serge
Radtke, Claudio
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide in O2 was investigated using oxygen isotopic substitution and narrow resonance nuclear reaction profiling. This investigation was carried out in parallel with the thermal growth of silicon oxide films on Si. Results demonstrate that the limiting steps of the thermal oxide growth are different in these two semiconductors, being diffusion limited in the case of Si and reaction limited in the case of SiC. This fact renders the growth kinetics of SiO2 on SiC very sensitive to the reactivity of the interface region, whose compositional and structural changes can affect the electrical properties of the structure.
Contido em Physical review letters. College Park, MD. Vol. 89, no. 25 (Dec. 2002), p. 256102-4
Assunto Análise química nuclear
Compostos de silício
Difusao em superficies
Efeitos com isótopos
Estrutura de superfície
Expansao termica
Filmes finos
Oxidacao
Química de superfícies
Semicondutores de gap largo
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/99389
Arquivos Descrição Formato
000341123.pdf (264.7Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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