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    • Caracterização estrutural de filmes de Ga2O3 fabricados por sputtering e modificados por irradiação iônica 

      Endres, Mara Rúbia (2021) [Work completion of graduation]
      O óxido de gálio (Ga2O3) possui propriedades que o destacam frente a outros semicondutores de bandgap largo, entre elas, seu bandgap mais amplo, elevado campo elétrico de ruptura, alta fotossensibilidade ultra-violeta (UV), ...
    • Ion implantation in β-Ga2O3 : Physics and technology 

      Nikolskaya, Alena; Okulich, Evgenia; Korolev, Dmitry; Stepanov, Anton V.; Nikolichev, Dmitry; Mikhaylov, Alexey; Tetelbaum, David; Almaev, Aleksei; Bolzan, Charles Airton; Buaczick Júnior, Antônio; Giulian, Raquel; Grande, Pedro Luis; Kumar, Ashok; Kumar, Mahesh; Gogova, Daniela (2021) [Journal article]
      Gallium oxide, and in particular its thermodynamically stable β-Ga2O3 phase, is within the most exciting materials in research and technology nowadays due to its unique properties. The very high breakdown electric field ...
    • O uso do óxido de gálio (Ga2O3) na fabricação de sensor de gás 

      Moysés, Daniella Endres (2022) [Work completion of graduation]
      Este projeto estuda filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) para verificar se é possível fabricar um detector de gás a partir desse material. Pretendia-se descobrir quais gases são melhor detectados e qual é a melhor ...