Browsing Theses and Dissertations by Author "Stedile, Fernanda Chiarello"
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Análise por feixes de íons de filmes finos dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente
Stedile, Fernanda Chiarello (1993) [Thesis]Esta tese trata de filmes finos de materiais dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que são analisados por métodos de feixes de íons. Como introdução aos nossos trabalhos, são abordados os ... -
Crescimento térmico de filmes dielétricos sobre SiC e caracterização das estruturas formadas
Radtke, Claudio (2003) [Thesis]Na presente tese, foi investigado o crescimento térmico de filmes dielétricos (óxido de silício e oxinitreto de silício) sobre carbeto de silício. Além disso, os efeitos da irradiação iônica do SiC antes de sua oxidação, ... -
Efeitos da interação de vapor d’água, de nitrogênio e de hidrogênio com estruturas dielétrico/SiC
Corrêa, Silma Alberton (2013) [Thesis]No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou ... -
Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
Pitthan Filho, Eduardo (2013) [Dissertation]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ... -
Filmes finos de óxido de estanho: efeitos da implantação iônica e de ambientes oxidantes e redutores
Stedile, Fernanda Chiarello (1990) [Dissertation]Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia ... -
Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
Rosa, Elisa Brod Oliveira da (2003) [Thesis]O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), ... -
Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica
Rosa, Aline Tais da (2012) [Dissertation]Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
Pitthan Filho, Eduardo (2017) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
Investigação dos processos de crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício
Dartora, Gustavo Henrique Stedile (2018) [Dissertation]Este trabalho investiga a cinética de oxidação do carbeto de silício (SiC) monocristalino, assim como as propriedades físico-químicas da interface e do filme fino de óxido (SiO2) formado. Serão discutidos filmes finos ... -
Propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e da camada interfacial formada
Corrêa, Silma Alberton (2009) [Dissertation]Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas. Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de uma camada interfacial ... -
Propriedades físico-químicas e características elétricas de estruturas dielétrico/SiC
Soares, Gabriel Vieira (2008) [Thesis]Na presente Tese, foi investigado o efeito de tratamentos térmicos reativos nas propriedades físico-químicas e, em alguns casos, nas propriedades elétricas de filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre carbeto de silício. ... -
Superfícies porosas recobertas com metalocenos : análise multivariada envolvendo caracterização com feixes de íons
Krug, Cristiano (2000) [Dissertation]Implementaram-se no Laboratório de Implantação IOnica do IF-UFRGS técnicas de análise com feixes de ions paa a caracterização composiciond de sistemas cataliticos de grande interesse para a produção de polimeros sintéticos, ...