Navegação Teses e Dissertações por Autor "Boudinov, Henri Ivanov"
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Álcool polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica
Ximenes, Eder Sandim (2014) [Dissertação]Enquanto que a maioria das pesquisas na área de transistores orgânicos de efeitos de campo (OFETs) concentra-se no desenvolvimento e na caracterização do semicondutor orgânico, a camada dielétrica ocupa um importante lugar ... -
Caracterização e aplicação de derivados de benzazolas em dispositivos orgânicos e emissores de luz
Etcheverry, Louise Patron (2016) [Dissertação]No presente trabalho são investigadas experimental e teoricamente as propriedades ópticas e estruturais de compostos orgânicos derivados da família hidroxifenil benzazolas visando aplicações em diodos orgânicos emissores ... -
Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
Palmieri, Rodrigo (2005) [Dissertação]Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de ... -
Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
Palmieri, Rodrigo (2009) [Tese]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Controle das propriedades ópticas e elétricas do ITO por bombardeamento com íons
Leite, Gabriel Volkweis (2015) [Dissertação]Este trabalho apresenta as variações das propriedades ópticas e elétricas do ITO (Oxido de índio dopado com Estanho) por bombardeamento iônico. Os bombardeamentos foram realizados com íons Ar+ com perfil único e com perfil ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo
Leite, Gabriel Volkweis (2019) [Tese]Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: ... -
Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
Pesenti, Giovani Cheuiche (2008) [Tese]Um chip conversor A/D (analógico/digital) foi utilizado para o desenvolvimento da tecnologia CMOS de 5 μm com poço tipo-p e porta de silício policristalino no Laboratório de Microeletrônica (LμE) do Instituto de Física da ... -
Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da (2004) [Dissertação]O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O ... -
Diodos schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas
Kaufmann, Ivan Rodrigo (2017) [Tese]Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo ... -
Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
Oliveira, Roana Melina de (2007) [Dissertação]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço
Parizotto, Rodrigo (2003) [Dissertação]Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação ... -
Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
Reis, Roberto Moreno Souza dos (2013) [Tese]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Fabricação de transistor orgânico de efeito de campo sobre substrato plástico flexível
Van Etten, Eliana Antunes Maciel Aquino (2017) [Tese]elementares da eletrônica orgânica, vêm sendo desenvolvidos e integrados para realização de dispositivos eletrônicos de baixo custo, alto volume e flexíveis. Nesta tese foi proposta uma tecnologia para a construção de OFETs ... -
Fabricação e caracterização de um sensor múltiplo sensível à posição
Souza, Eliasibe Luis de (2011) [Dissertação]Este trabalho aborda o design, a fabricação e a caracterização de um sensor óptico de posição, o múltiplo PSD (Position Sensitive Detector). O sensor é composto de 64 PSDs unidimensionais em paralelo. O PSD é um sensor do ... -
Fabrication of ion sensitive field effect transistors
Rodrigues, Frâncio Souza Berti (2018) [Dissertação]Transistores de Efeito de Campo Sensíveis a Íons (ISFETs) revolucionaram a tecnologia de sensores químicos e de pH por serem pequenos e compatíveis com tecnologias de microfabricação em grande escala. Nós desenvolvemos uma ... -
Flexible temperature pressure organic sensor
Martins, Lucas Prates (2020) [Dissertação]This work aimed to develop pressure and temperature sensor based on piezo-resistive and thermoelectric phenomena, using porous polyurethane and melamine foams impregnated with a solution of Poly (3,4-ethylenedioxythiophe ... -
Foto e eletroluminescência de filmes de nitreto de silício não estequiométrico depositados por sputterin reativo
Sombrio, Guilherme (2016) [Tese]Filmes finos de nitreto de silício com excesso de nitrogênio foram depositados sobre silício por sputtering reativo para obter estruturas emissoras de luz. As amostras foram modificadas por implantação iônica para verificar ... -
Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
Sombrio, Guilherme (2012) [Dissertação]Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de ... -
Hybrid organic inorganic perovskite solar cells : analysis of performance and stability in reverse bias
Razera, Ricardo Augusto Zanotto (2021) [Tese]Lead-halide perovskites show great promise for high-efficiency Si/perovskite tandem solar cells, with record efficiencies now surpassing 25 % in single junction. However, to reach commercialization, it is necessary for the ...