Navegação Engenharias por Assunto "Semicondutores"
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Controle da transição de fase cristalina de dissulfeto de molibdênio (MoS2) com feixe de íons
(2023) [Dissertação]Recentemente, os dicalcogenetos de metais de transição, ou simplesmente TMDs, têm atraído grande atenção devido às suas vastas aplicações tecnológicas. Entre esses materiais, o dissulfeto de molibdênio (MoS2), um material ... -
Crescimento e caracterização de monocristais do semicondutor GaSb pela técnica do líquido encapsulante no método Czochralski
(1991) [Dissertação]Neste trabalho foram desenvolvidas algumas das etapas de um processo que culmina com a obtenção e caracterização de monocristais do semicondutor GaSb crescidos pela técnica de Czochralski com o uso de um líquido encapsulante. ... -
Determinação de capacitâncias e propriedades semicondutoras de óxidos sobre aços inoxidáveis em solução tampão de borato e em líquido iônico
(2010) [Dissertação]As propriedades semicondutoras de filmes passivos foram comparativamente estudadas, em solução tampão de borato pH 9,2 e em BMMITFSI, um Líquido Iônico (LI) a temperatura ambiente com diferentes concentrações de água por ... -
Estudo da influência do alumínio como dopante e do ultra-som em cristais de antimonieto de galio crescidos por LEC
(1994) [Tese]Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, ... -
Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
(1995) [Dissertação]Este trabalho trata essencialmente da fabricação e caracterização elétrica de capacitares MOS. Inicialmente, é feita uma descrição do modelo elétrico da estrutura MOS, abordando tanto um capacitar ideal, quanto as ... -
Investigação dos processos de crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício
(2018) [Dissertação]Este trabalho investiga a cinética de oxidação do carbeto de silício (SiC) monocristalino, assim como as propriedades físico-químicas da interface e do filme fino de óxido (SiO2) formado. Serão discutidos filmes finos ... -
Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio
(2020) [Tese]Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento ... -
Método para legalização de circuitos com células de altura múltipla
(2022) [Dissertação]Desde a década de 1970, novas tecnologias de semicondutores impactam nossa sociedade. Desde então, o número de componentes num mesmo circuito é dobrado a cada dois anos, seguindo a Lei de Moore. Com esse avanço, os ... -
Modelo para projeção de custo e capacidade para testes de semicondutores
(2016) [Dissertação]Este trabalho tem como objetivo estudar os métodos de desenvolvimento de testes de semicondutores em testadores de baixo custo e propor ferramentas que proporcionem a redução dos custos da realização destes testes. Para ... -
Nanoferritas mistas (Co1-yNiy)Fe2O4 : síntese via sol-gel e sua caracterização microestrutural e de propriedades magnéticas e ópticas em função da distribuição catiônica
(2020) [Tese]Nanoferritas mistas têm sido cada vez mais utilizadas em aplicações funcionais devido às suas propriedades, principalmente as magnéticas, associadas às altas energias de superfície. Este trabalho estuda uma série de ... -
Obtenção de nanocamadas de WSe2 por esfoliação em diferentes sistemas de solventes
(2015) [Dissertação]Resumo não disponível -
Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno
(2015) [Tese]A evolução da microeletrônica ocorrida nas últimas cinco décadas levou a tecnologia do Silício (Si) aos seus limites. A busca por novos materiais semicondutores se faz necessária, tendo em vista a continuidade de Lei de ... -
Segregação de índio em cristais Ga1-xInxSb dopados com telúrio obtidos pelo método Bridgman vertical
(2016) [Tese]Os compostos semicondutores ternários, dentre eles o Ga1-xInxSb, têm sido objeto de interesse de pesquisadores e da indústria microeletrônica devido à possibilidade de ajuste da constante de rede, assim como a correspondente ... -
Síntese, caracterização e aplicações ambientais do niobato de bismuto e ferro (Bi2FexNbO7)
(2019) [Dissertação]Atualmente, a matriz energética global é composta majoritariamente por combustíveis fósseis (81%). A queima destes combustíveis causa a emissão de CO2 na atmosfera. A elevação dos níveis deste gás é uma das principais ... -
Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2
(2021) [Dissertação]The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ... -
Tratamento químico e eletroquímico de superfícies de silício em meios contendo fluoretos
(1996) [Dissertação]A preparação de superfícies de silício na indústria microeletrônica é feita por processos que, geralmente, envolvem uma etapa por via úmida com soluções alcalinas ou contendo fluoretos. Tais sistemas produzem acabamentos ...