Análise dos efeitos da radiação ionizante em memórias FLASH e SRAM

Abstract

Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O projeto desenvolvido consiste no estudo dos efeitos da radiação ionizante sobre dispositivos semicondutores, especialmente em memórias flash e SRAM, e os tipos de falha que podem vir a ocorrer nestes tipos de memória. Além disso, consiste na seleção de testes que podem ser aplicados às memórias de forma a verificar as falhas provocadas pela radiação, e o projeto de uma plataforma para testar algumas memórias, que foi desenvolvida baseada em FPGA.

This document presents the work developed in the final project of the graduation in Electrical Engineering at Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS). The project consists in the study of the effects of ionizing radiation on flash memories and SRAMs, and the fault types that may occur in these memories. Also, this work includes the selection of tests that can be applied to the memories in order to verify their comportment in a radiation environment, and the design of a test platform to analyze the faults in the memories, which was developed based on a FPGA platform.