Browsing Physics by Subject "Densidade de estados eletronicos"
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Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
(2009) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Dependência de temperatura dos parâmetros Mössbauer nos compostos de SnS e SnSe
(1971) [Dissertation]Os compostos isomorfos SnS e SnSe foram estudados usando a técnica do efeito Mössbauer para 119Sn no intervalo de temperatura de 80 K a 400 K. Nosso resultados mostram que a constante do acoplamento quadripolar ∆ Eǫ e o ... -
Efeitos de dopagem e desordem em modelos de sistemas eletrônicos correlacionados
(2014) [Thesis]Elétrons em bandas estreitas de energia são fortemente afetados pela interação coulombiana como também por desordem na rede. Ambos os efeitos podem levar à localização, mas de naturezas diferentes: estado isolante de Mott, ... -
Estudo das interações hiperfinas nos compostos HfFe 2-x Si x por Efeito Mössbauer
(1975) [Dissertation]O campo hiperfino e o gradiente de campo elétrico (GCE) foram obtidos experimentalmente, no intervalo de temperatura de 4,2°K até 700°K, através da tecnica do efeito Mössbauer no Fe57, para o composto intermetálico HfFe2 ... -
Estudo do calor específico de compostos Heusler paramagnéticos, da série do níquel Ni 2 Tal, onde T=Ti, Zr, Hf, V, Nb e Ta
(1997) [Dissertation]Neste trabalho apresentamos os resultados experimentais da medida do calor específico dos compostos Heusler da série Ni2TA1, onde T =Ti, Zr,Hf,V,Nb, Ta. Estas medidas foram feitas utilizando-se um calorímetro adiabático ... -
Um modelo teórico para valência intermediária na representação iônica
(1982) [Dissertation]Neste trabalho obtemos as funções de Green, bem como as densidades de estado e números de ocupação para um sistema de valência intermediária. -
Propriedades eletrônicas do monocalcogenetos de Sm e de ligas do tipo Sm1-xMxS
(1981) [Thesis]Apresentamos um modelo teórico para explicar as tran sições de valéncia do Sm nas ligas Smi _ x M xS, onde M é um metal de transição (por ex. Y ou La), como uma função da concentração x. O sistema é descrito por um modelo ...