• Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Tesis de maestría]
      A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ...
    • Implantação iônica de oxigênio em silício 

      Cima, Carlos Alberto (2001) [Tesis]
      Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2 , energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato ...