Listar Física por tema "Interface states density"
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Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
(2009) [Tesis]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ...