• Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]
      A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ...