Navegação Física por Assunto "N ion implantation into GaAs"
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Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
(2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...