• Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs 

      Coelho Júnior, Horácio (2018) [Tese]
      O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...