Navegação Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais por Assunto "III - V semiconductors"
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Segregação de índio em cristais Ga1-xInxSb dopados com telúrio obtidos pelo método Bridgman vertical
(2016) [Tese]Os compostos semicondutores ternários, dentre eles o Ga1-xInxSb, têm sido objeto de interesse de pesquisadores e da indústria microeletrônica devido à possibilidade de ajuste da constante de rede, assim como a correspondente ...