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dc.contributor.advisorKastensmidt, Fernanda Gusmão de Limapt_BR
dc.contributor.authorQuispe, Raul Dario Chipanapt_BR
dc.date.accessioned2015-04-02T02:00:32Zpt_BR
dc.date.issued2014pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/114809pt_BR
dc.description.abstractTechnology scaling to semiconductor has increased the radiation-induced susceptibility of electronic devices. Single Event Transient (SET) are becoming increasingly problematic for integrated circuits (ICs). Radiation effects may occur in the clock distribution networks of the ICs. During the strike of an ionizing particle, charge may be collected on the output node of the clock buffer, provoking a clock glitch, clock jitter and clock skew. As consequence of the impact, it is possible to notice errors in the control flow or data flow of the system. This work investigates the SET susceptibility in the clock distribution network of the circuit. We are interested in the most sensitive paths of the network and registers that are most likely to flip in the clock network. Some bit-flips are most likely to provoke a fault in the IC output once a failure occur in those elements. In the present work we propose a new methodology to identify the most sensitive nodes and to calculate the soft error rate due to SET in clock distribution network. This new methodology uses a tool developed in this thesis named EXT-CLK. The tool extracts the clock network from layout design files, to perform different simulations of SET injection in electrical and logic level. The SRAM arbiter circuit has been chosen as a case study. Thousands of electrical simulations have been performed in order to identify the sensitive nodes of the clock network. Results show that 17 registers of SRAM arbiter exhibit high vulnerability factor. This information can help the designers to use some mitigation techniques on those registers before the manufacturing process.en
dc.description.abstractA redução na escala dos semicondutores tem aumentado a suceptibilidade de componentes eletrônicos a radiação. Single event transient (SET) afeta cada vez mais os circuitos integrados. Os efeitos da radiação podem afetar as redes de relógio dos circuitos integrados. Durante o impacto de uma partícula ionizada, a carga pode ser coletada na saída do buffer da rede de relógio e provocar um clock glich, clock jitter e clock skew. Como consequência do impacto, é possivel notar erros no fluxo do controle e no fluxo de dados do sistema. A presente tese investiga a suscetibilidade ao SET nas redes de relógio dos circuitos. Nós estamos interessados nos caminhos mais sensíveis da rede e nos registros que apresentam mais probabilidade de mudar de estado (bit-flip). Alguns bit-flips tem mais probabilidade de provocar uma falha na saída do circuito, enquanto outros podem ser mascarados pela aplicação. Nesta tese propomos uma nova metodologia para identificar os nós mais sensíveis e calcular o soft error rate causado pelo SET nas redes de relógio. Nossa metodologia utiliza uma ferramenta desemvolvida para esta tese chamada EXT-CLK, a ferramenta extrai a rede de relógio dos archivos de desenho do circuito para realizar diferentes simulações de injeção de SET. Como estudo de caso foi selecionado o circuito SRAM arbiter. Centenas de simulações foram feitas com o intuito de identificar os nós mais sensíveis da rede de relógio. Os resultados mostram 17 registros do ciruito SRAM arbiter terem alto índice de suscetibilidade. A informação encontrada nos resultados poderão ajudar os desenhadores a escolher a técnica de mitigação mais apropriada para o circuito antes de ser fabricado.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoengpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectMicroeletrônicapt_BR
dc.subjectRedes : Computadorespt_BR
dc.titleSingle event transient effects in clock distribution networkspt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.identifier.nrb000955891pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Informáticapt_BR
dc.degree.programPrograma de Pós-Graduação em Microeletrônicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2014pt_BR
dc.degree.leveldoutoradopt_BR


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