Navegação Microeletrônica por Título
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KL-cut based remapping
(2013) [Dissertação]This work introduces the concept of k-cuts and kl-cuts on top of a mapped circuit in a netlist representation. Such new approach is derived from the concept of k-cuts and klcuts on top of AIGs (and inverter graphs), ... -
Lógica quaternária de alto desempenho e baixo consumo para circuitos VLSI
(2007) [Tese]Desde a década de 60, o aprimoramento das técnicas de fabricação de circuitos integrados que usam lógica binária tem levado ao aumento exponencial na densidade de dispositivos, melhoria do desempenho, redução da energia ... -
Logic synthesis for sequential material implication logic based on resistance switching devices
(2017) [Tese]Dispositivos de resistência variável (RSD) são alternativas promissoras para a criação de memórias não voláteis (NVM). Estas memórias também podem influenciar o projeto de circuitos digitais através de “lógica em memória”. ... -
Low power digitally controlled oscillator for IoT applications
(2021) [Dissertação]This work is focused on the design of a Low Power CMOS DCO for IEEE 802.11ah in IoT applications. The design methodology is based on the Unified current-control model (UICM), which is a physics-based model and enables an ... -
Low power SAR analog-to-digital converter for internet-of-things RF receivers
(2018) [Dissertação]The "Internet of Things" (IoT) has been a topic of intensive research in industry, technological centers and academic community, being data communication one aspect of high relevance in this area. The exponential increase ... -
Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio
(2020) [Tese]Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento ... -
MCML gate design methodology ante the tradeoffs between MCML and CMOS applications
(2016) [Dissertação]This work proposes a simulation-based methodology to design MOS Current-Mode Logic (MCML) gates and addresses the tradeoffs of the MCML versus static CMOS circuits. MCML is a design style developed focusing in a high-speed ... -
Memory circuit hardening to Multiple-Cell Upsets
(2024) [Tese]A new era of space exploration is coming with an exponential increase in satellites and a drastic cost reduction. Memory circuits are a fundamental part of space applications, and techniques to deal with the radiation ... -
Metodologia de injeção de falhas baseada em emulação de processadores
(2014) [Dissertação]Esta dissertação tem por finalidade apresentar uma metodologia de injeção de falhas baseada em emulação de processadores. Os efeitos causados pela radiação em processadores, operando no espaço ou em altitudes elevadas, têm ... -
Método para legalização de circuitos com células de altura múltipla
(2022) [Dissertação]Desde a década de 1970, novas tecnologias de semicondutores impactam nossa sociedade. Desde então, o número de componentes num mesmo circuito é dobrado a cada dois anos, seguindo a Lei de Moore. Com esse avanço, os ... -
Métodos de teste de redes-em-chip (NoCs)
(2009) [Dissertação]Este trabalho tem como objetivo estudar e propor métodos de teste funcional visando a detecção e localização de falhas na infra-estrutura das redes-em-chip. Para isso, o trabalho apresenta, inicialmente, uma descrição das ... -
Minimização lógica por fusão de portas
(2018) [Dissertação]Neste trabalho é apresentado um método para redução do número de transistores em circuitos integrados. Foram desenvolvidos um algoritmo e uma ferramenta de EDA baseada no mesmo, denominada de LOMGAM (Logic Minimization by ... -
Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais
(2012) [Dissertação]A miniaturização dos transistores do tipo MOS traz consigo um aumento na variabilidade de seus parâmetros elétricos, originaria do processo de fabricação e de efeitos com dependência temporal, como ruídos e degradação ... -
Modelamento do single-Event effiects em circuitos de memória FDSOI
(2016) [Dissertação]Este trabalho mostra a comparação dos efeitos das falhas provocadas pelos Single-Event Effects em dispositivos 28nm FDSOI, 28nm FDSOI High-K e 32nm Bulk CMOS e células de memória 6T SRAM feitas com estes dispositivos. Para ... -
Modelamento e análise do efeito de coeficiente nulo de temperatura (ZTC) do Mosfet para aplicações análogicas de baixa sensibilidade têrmica
(2015) [Dissertação]Continuing scaling of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technologies brings more integration and consequently temperature variation has become more aggressive into a single die. Besides, depending on the ... -
Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
(2011) [Tese]O efeito das variações intrínsecas afetando parâmetros elétricos de circuitos fabricados com tecnologia CMOS de escala nanométrica apresenta novos desafios para o yield de circuitos integrados. Este trabalho apresenta ... -
Modeling and simulation of self-heating effects in p-type MOS transistors
(2018) [Tese]The complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling process of the recent decades, coupled with new device structures and materials, has aggravated thermal problems and turned them into major reliability issues for ... -
Modelling software energy consumption for energy efficiency analysis
(2022) [Tese]Software energy consumption is becoming an essential issue during software develop ment and evolution, in particular, due to several restrictions imposed by platforms and application requirements. However, still little ... -
Modelo para projeção de custo e capacidade para testes de semicondutores
(2016) [Dissertação]Este trabalho tem como objetivo estudar os métodos de desenvolvimento de testes de semicondutores em testadores de baixo custo e propor ferramentas que proporcionem a redução dos custos da realização destes testes. Para ... -
Modificação de filmes finos de CdSe por irradiação com feixe de elétrons
(2018) [Tese]Membranas auto-sustentáveis compostas por filmes finos com múltiplas camadas SiO2/ ( 30 nm)/CdSe( 3,0nm)/SiO2 (18 nm) e SiO2( 30 nm)/PbSe( 3,0nm)/SiO2( 18 nm) foram produzidas por magnetron sputtering e submetidas à ...
