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Navegação Microeletrônica por Autor "Radtke, Claudio"

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      Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio 

      Rolim, Guilherme Koszeniewski (2014) [Dissertação]
      As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ...
    • Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio 

      Etcheverry, Louise Patron (2020) [Tese]
      Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento ...
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      Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno 

      Bom, Nicolau Molina (2015) [Tese]
      A evolução da microeletrônica ocorrida nas últimas cinco décadas levou a tecnologia do Silício (Si) aos seus limites. A busca por novos materiais semicondutores se faz necessária, tendo em vista a continuidade de Lei de ...
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      Processamento térmico de grafeno e sua síntese pela técnica de epitaxia por feixes moleculares 

      Rolim, Guilherme Koszeniewski (2018) [Tese]
      O grafeno é um material que apresenta propriedades físicas e químicas superiores aos materiais tradicionalmente utilizados na fabricação de diferentes dispositivos. Porém, para substituir tais materiais, é imprescindível ...
    • Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2 

      Cabeda, Dheryck Schwendler (2021) [Dissertação]
      The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ...

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