Navegação Microeletrônica por Assunto "Feixes de íons"
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Controle da transição de fase cristalina de dissulfeto de molibdênio (MoS2) com feixe de íons
(2023) [Dissertação]Recentemente, os dicalcogenetos de metais de transição, ou simplesmente TMDs, têm atraído grande atenção devido às suas vastas aplicações tecnológicas. Entre esses materiais, o dissulfeto de molibdênio (MoS2), um material ... -
Efeitos da interação de vapor d’água, de nitrogênio e de hidrogênio com estruturas dielétrico/SiC
(2013) [Tese]No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
(2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ... -
Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)
(2009) [Tese]O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas ... -
Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2
(2021) [Dissertação]The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ...
