Browsing Microelectronics by Subject "Dióxido de silício"
Now showing items 1-4 of 4
-
Características e mecanismos do crescimento térmico de SiO₂ sobre SiC utilizando diferentes espécies oxidantes
(2024) [Thesis]Ora tido como material semicondutor emergente, o carbeto de silício (SiC) hoje toma grande parte do mercado de dispositivos eletrônicos de alta potência. Este trabalho investiga o processo de crescimento de dióxido de ... -
Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
(2013) [Dissertation]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
(2017) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2
(2021) [Dissertation]The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ...
