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Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si

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Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si

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Título Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si
Autor Krug, Cristiano
Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Almeida, Rita Maria Cunha de
Morais, Jonder
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Salgado, Tania Denise Miskinis
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Ultrathin films of Al₂O₃ deposited on Si were submitted to rapid thermal annealing in vacuum or in oxygen atmosphere, in the temperature range from 600 to 800 °C. Nuclear reaction profiling with subnanometric depth resolution evidenced mobility of O, Al, and Si species, and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy revealed the formation of Si-Al-O compounds in near-surface regions, under oxidizing atmosphere at and above 700 °C. Under vacuum annealing all species remained essentially immobile. A model is presented based on diffusion-reaction equations capable of explaining the mobilities and reproducing the obtained profiles.
Contido em Physical review letters. Melville. Vol. 85, no. 19 (Nov. 2000), p. 4120-4123
Assunto Filmes finos
Física
Silicio
Tratamento térmico
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/100092
Arquivos Descrição Formato
000279172.pdf (139.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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