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Tracks and voids in amorphous Ge induced by swift heavy-ion irradiation

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Tracks and voids in amorphous Ge induced by swift heavy-ion irradiation

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Título Tracks and voids in amorphous Ge induced by swift heavy-ion irradiation
Autor Ridgway, M.C.
Bierschenk, Thomas
Giulian, Raquel
Afra, Boshra
Rodriguez, M. D.
Araújo, Leandro Langie
Byrne, A. P.
Kirby, Nigel
Pakarinen, O. H.
Djurabekova, F.
Nordlund, K.
Schleberger, M.
Osmani, O.
Medvedev, N.
Rethfeld, B.
Kluth, Patrick
Abstract Ion tracks formed in amorphous Ge by swift heavy-ion irradiation have been identified with experiment and modeling to yield unambiguous evidence of tracks in an amorphous semiconductor. Their underdense core and overdense shell result from quenched-in radially outward material flow. Following a solid-toliquid phase transformation, the volume contraction necessary to accommodate the high-density molten phase produces voids, potentially the precursors to porosity, along the ion direction. Their bow-tie shape, reproduced by simulation, results from radially inward resolidification.
Contido em Physical review letters. New York. Vol. 110, no. 24 (June 2013), 245502, 5 p.
Assunto Efeitos de feixe iônico
Germânio
Semicondutores amorfos
Semicondutores elementares
Solidificacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/101366
Arquivos Descrição Formato
000897306.pdf (599.5Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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