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Magnetoresistance of doped silicon

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Magnetoresistance of doped silicon

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Título Magnetoresistance of doped silicon
Autor Silva, Antonio Ferreira da
Levine, Alexandre
Momtaz, Zahra Sadre
Boudinov, Henri Ivanov
Sernelius, Bo E.
Abstract We have performed longitudinal magnetoresistance measurements on heavily n-doped silicon for donor concentrations exceeding the critical value for the metal-nonmetal transition. The results are compared to those from a many-body theory where the donor electrons are assumed to reside at the bottom of the many-valley conduction band of the host. Good qualitative agreement between theory and experiment is obtained.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 91, no. 21 (June 2015), 214414, 7 p.
Assunto Bandas de condução
Ferromagnetismo
Magnetoresistencia
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/131409
Arquivos Descrição Formato
000980903.pdf (472.7Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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