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Effect of annealing atmosphere on the structure and luminescence of Sn-implanted SiO/sub 2/ layers

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Effect of annealing atmosphere on the structure and luminescence of Sn-implanted SiO/sub 2/ layers

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Título Effect of annealing atmosphere on the structure and luminescence of Sn-implanted SiO/sub 2/ layers
Autor Lopes, João Marcelo Jordão
Zawislak, Fernando Claudio
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Lovey, Francisco Carlos
Condó, Adriana M.
Abstract Sn nanoclusters are synthesized in 180 nm SiO2 layers after ion implantation and heat treatment. Annealings in N2 ambient at high temperatures sTù700 °Cd lead to the formation of Sn nanoclusters of different sizes in metallic and in oxidized phases. High-resolution transmission electron microscopy (TEM) analyses revealed that the formed larger nanoparticles are composed by a Sn metallic core and a SnOx shell. The corresponding blue-violet photoluminescence (PL) presents low intensity. However, for heat treatments in vacuum, the PL intensity is increased by a factor of 5 and the TEM data show a homogeneous size distribution of Sn nanoclusters. The low intensity of PL for the N2 annealed samples is associated with Sn oxidation.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 86, no. 2 (Jan. 2005), 023101, 3 p.
Assunto Compostos de silício
Estanho
Filmes finos isolantes
Fotoluminescencia
Microscopia eletronica de transmissao
Tratamento térmico
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141325
Arquivos Descrição Formato
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