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Effects of post-deposition annealing in O/sub 2/ on the electrical characteristics of LaAlO/sub 3/ films on Si

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Effects of post-deposition annealing in O/sub 2/ on the electrical characteristics of LaAlO/sub 3/ films on Si

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Título Effects of post-deposition annealing in O/sub 2/ on the electrical characteristics of LaAlO/sub 3/ films on Si
Autor Miotti, Leonardo
Bastos, Karen Paz
Driemeier, Carlos Eduardo
Edon, Vincent
Hugon, Marie-Christine
Agius, Bernard
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract LaAlO3 films were deposited on p-type Si 100 by sputtering from a LaAlO3 target. C V characteristics were determined in nonannealed and O2-annealed capacitors having LaAlO3 films as dielectric and RuO2 as top electrode. Thermal annealing in O2 atmosphere reduced flat band voltage to acceptable values for advanced Si-based devices. 16O–18O isotopic substitution was characterized by Rutherford backscattering spectrometry and nuclear resonant reaction profiling. Chemical analysis of the films was accomplished by x-ray photoelectron spectroscopy. The electrical improvements observed after thermal annealing in O2 were attributed to the incorporation of oxygen from the gas phase, possibly healing oxygen vacancies in the films and providing mobile oxygen to the interface
Contido em Applied Physics Letters. New York. Vol. 87, no. 2 (July 2005), 022901, 3 p.
Assunto Analise quimica
Espectros de raio x de fotoeletrons
Filmes finos dieletricos
Fisica da materia condensada
Interfaces semicondutor-isolante
Materiais dieletricos
Retroespalhamento rutherford
Semicondutores elementares
Silicio
Sputtering
Trocas químicas
Vacancias cristal
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141348
Arquivos Descrição Formato
000530614.pdf (437.0Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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