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Improvement of SiO2/4H-SiC interface properties by oxidation using hydrogen peroxide

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Improvement of SiO2/4H-SiC interface properties by oxidation using hydrogen peroxide

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Título Improvement of SiO2/4H-SiC interface properties by oxidation using hydrogen peroxide
Autor Palmieri, Rodrigo
Radtke, Claudio
Boudinov, Henri Ivanov
Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Abstract The effect of using H2O2 in the thermal growth process of dielectric films on n-type 4H-SiC substrates has been investigated. In comparison to conventional oxide growth using H2O, we found that the interface trap density is reduced close to the conduction band edge of 4H-SiC. This electrical improvement is correlated with the decrease in SiCxOy compounds at the SiO2 /4H-SiC interface region as confirmed by two independent methods. These results point to the use of H2O2 as an alternative passivating agent of SiO2 /4H-SiC interface electrically active defects.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 95, no. 11 (Sept. 2009), 113504, 3 p.
Assunto Bandas de condução
Carbeto de silicio
Compostos de silício
Filmes finos dieletricos
Interfaces semicondutor-isolante
Oxidacao
Passivacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141717
Arquivos Descrição Formato
000719233.pdf (478.1Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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