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Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability

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Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability

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Título Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability
Autor Aguiar, Ygor Quadros de
Orientador Reis, Ricardo Augusto da Luz
Co-orientador Meinhardt, Cristina
Data 2017
Nível Mestrado
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Informática. Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica.
Assunto Circuitos digitais
Microeletrônica
[en] Fault Tolerance
[en] FinFET
[en] Microelectronics
[en] Radiation Effects
[en] Variability
Abstract Advances in microelectronics have contributed to the size reduction of the technological node, lowering the threshold voltage and increasing the operating frequency of the systems. Although it has positive outcomes related to the performance and power consumption of VLSI circuits, it does also have a strong negative impact in terms of the reliability of designs. As technology scales down, the circuits are becoming more susceptible to numerous effects due to the reduction of robustness to external noise as well as the increase of uncertainty degree related to the many sources of variability. Faulttolerant techniques are usually used to improve the robustness of safety critical applications. However, the implications of the scaling of technology have interfered against the effectiveness of fault-tolerant approaches to provide the fault coverage. For this reason, this work has evaluated the radiation robustness of different circuits designed in FinFET technology under variability effects. In order to determine the best design options to implement fault-tolerant techniques such as the Triple-Module Redundancy (TMR) and/or Duplication with Comparison (DWC) schemes, the set of analyzed circuits is composed of ten different exclusive-OR (XOR) logic gate topologies and two majority voter (MJV) circuits. To investigate the effect of gate configuration of FinFET devices, the XOR circuits is analyzed using double-gate configuration (DG FinFET) and tri-gate configuration (TG FinFET). Environmental Variability such as Temperature and Voltage Variability are evaluated in the set of analyzed circuits. Additionally, the process-related variability effect Work-Function Fluctuation (WFF) is also evaluated. In order to provide a more precise study, the layout design of the MJV circuits using a 7nm FinFET PDK is evaluated by the predictive MUSCA SEP3 tool to estimate the Soft-Error Rate (SER) of the circuits considering the layout contrainsts and Back-End-Of-Line (BEOL) and Front-End-Of-Line (FEOL) layers of an advanced technology node.
Resumo Os avanços na microeletrônica contribuíram para a redução de tamanho do nó tecnológico, diminuindo a tensão de limiar e aumentando a freqüência de operação dos sistemas. Embora tenha resultado em ganhos positivos relacionados ao desempenho e ao consumo de energia dos circuitos VLSI, a miniaturização também tem um impacto negativo em termos de confiabilidade dos projetos. À medida que a tecnologia diminui, os circuitos estão se tornando mais suscetíveis a inúmeros efeitos devido à redução da robustez ao ruído externo, bem como ao aumento do grau de incerteza relacionado às muitas fontes de variabilidade. As técnicas de tolerancia a falhas geralmente são usadas para melhorar a robustez das aplicações de segurança crítica. No entanto, as implicações da redução da tecnologia interferem na eficácia de tais abordagem em fornecer a cobertura de falhas desejada. Por esse motivo, este trabalho avaliou a robustez aos efeitos de radiação de diferentes circuitos projetados na tecnologia FinFET sob efeitos de variabilidade. Para determinar as melhores opções de projeto para implementar técnicas de tolerancia a falhas, como os esquemas de Redundância de módulo triplo (TMR) e/ou duplicação com comparação (DWC), o conjunto de circuitos analisados é composto por dez diferentes topologias de porta lógica OR-exclusivo (XOR) e dois circuitos votadores maioritários (MJV). Para investigar o efeito da configuração do gate dos dispositivos FinFET, os circuitos XOR são analisados usando a configuração de double-gate (DG FinFET) e tri-gate (TG FinFET). A variabilidade ambiental, como variabilidade de temperatura e tensão, são avaliadas no conjunto de circuitos analisados. Além disso, o efeito da variabilidade de processo Work-Function Fluctuation (WFF) também é avaliado. A fim de fornecer um estudo mais preciso, o projeto do leiaute dos circuitos MJV usando 7nm FinFET PDK é avaliado pela ferramenta preditiva MUSCA SEP3 para estimar o Soft-Error Rate (SER) dos circuitos considerando as características do leiaute e as camadas de Back-End-Of-Line (BEOL) e Front-End-Of-Line (FEOL) de um nó tecnológico avançado.
Tipo Dissertação
URI http://hdl.handle.net/10183/169107
Arquivos Descrição Formato
001048152.pdf (7.300Mb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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