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Modeling of statistical low-frequency noise of deep-submicrometer MOSFETs

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Modeling of statistical low-frequency noise of deep-submicrometer MOSFETs

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Título Modeling of statistical low-frequency noise of deep-submicrometer MOSFETs
Autor Wirth, Gilson Inacio
Koh, Jeongwook
Silva, Roberto da
Thewes, Roland
Brederlow, Ralf
Resumo The low—frequency noise (LF-noise) of deep-submicrometer MOSFETs is experimentally studied with special emphasis on yield relevant parameter scattering. A novel modeling approach is developed which includes detailed consideration of statistical effects. The model is based on device physics parameters which cause statistical variations in LF-noise behavior of individual devices. Discrete quantities are used and analytical results for the statistical parameters are derived. Analytical equations for average value and standard deviation of noise power are provided. The model is compatible with standard compact models used for circuit simulation.
Contido em IEEE transactions on electron devices. New York, NY. Vol. 52, n. 7 (July 2005), p. 1576-1588
Assunto Microeletronica
[en] Analog circuits
[en] Low-frequency noise (LF-noise)
[en] MOS transistors
[en] Noise modeling
[en] RF circuits
[en] Semiconductor device noise
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/27600
Arquivos Descrição Formato
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