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Threshold shifting of nmos transitions by arsenic ion implantation prior to gate oxidation

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Threshold shifting of nmos transitions by arsenic ion implantation prior to gate oxidation

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Título Threshold shifting of nmos transitions by arsenic ion implantation prior to gate oxidation
Autor Souza, Joel Pereira de
Charry, E.
Abstract This paper reports on the threshold adjustment of NMOS transistors by arsenic ion implantation in the channel region directly into bare silicon just before the gate oxidation. Experimental results showed very good uniformity and reproducibility of the threshold voltages, low body effect, and high mobility values.
Contido em IEEE Transactions on Electron Devices. New York. Vol. 28, no. 10 (Oct. 1981), p. 1176-1178
Assunto Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Oxidacao : Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/27820
Arquivos Descrição Formato
000143333.pdf (3.748Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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