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Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos

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Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos

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Título Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos
Autor Benfatto, Vinicius Pereira
Orientador Azevedo, Gustavo de Medeiros
Data 2013
Nível Graduação
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Física. Curso de Pesquisa Básica: Bacharelado.
Assunto Arseneto de galio
EXAFS
Expansao termica
Germânio
Materiais semicondutores
[en] Debye-waller factor
[en] Gallium arsenide
[en] Germanium
[en] Thermal expansion
Resumo Neste estudo foi abordada a dependência do comprimento das ligações inter-atômicas com a temperatura para dois materiais com mesma estrutura cristalina (Germânio e Arseneto de Gálio), porém com diferenças de ionicidade de ligação. Para análise das características vibracionais utilizou-se do método de EXAFS para sondar as ligações com base em algumas aproximações, modelos e cálculo computacional, e verificou-se sua dependência com a temperatura através de características estruturais como o fator de Debye-Waller o qual descreve a desordem térmica e estrutural. Constatou-se que a taxa de expansão térmica para o germânio é maior que a do arseneto de gálio e sua ligação é mais “dura” que a GaAs.
Abstract This study addressed the dependence of the inter-atomic bond length with temperature for two materials with the same crystal structure (Germanium and Gallium Arsenide), but with differences in binding ionicity. For analysis of the vibrational characteristics we used EXAFS to probe the binding based on some approximations and computational models. We inferred the temperature dependence through structural features and the Debye-Waller factor which describes the thermal and sdisorder.tructural It was found that the rate of thermal expansion for germanium is larger than that of gallium arsenide and its binding is "harder" than GaAs.
Tipo Trabalho de conclusão de graduação
URI http://hdl.handle.net/10183/87239
Arquivos Descrição Formato
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