Navegação por Autor "Coelho, Artur Vicente Pfeifer"
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Caracterização de níveis de defeitos próximos à banda de valência em GaAs implantado com prótons
Adam, Matheus Coelho (2010) [Trabalho de conclusão de graduação]No presente trabalho, foi utilizada a técnica de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy) para identificar e caracterizar níveis profundos com energias mais próximas à ... -
Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs
Boudinov, Henri Ivanov; Coelho, Artur Vicente Pfeifer; Tan, Hoe H.; Jagadish, Chenupati (2003) [Artigo de periódico]Deep level transient spectroscopy was employed to determine the electrical properties of defects induced in metalorganic chemical-vapor deposition grown n-type and p-type GaAs during proton bombardment. Thermal stability ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Electrical isolation of p-type GaAs layers by ion irradiation
Boudinov, Henri Ivanov; Coelho, Artur Vicente Pfeifer; Souza, Joel Pereira de (2002) [Artigo de periódico]The electrical isolation of p-type GaAs layers doped with acceptor impurities incorporated in the Ga sublattice (Mg) or As sublattice (C) was studied using proton bombardment. It was found that practically the same proton ... -
Isolação de camadas tipo-p de GaAs através de implantação iônica
Coelho, Artur Vicente Pfeifer; Boudinov, Henri Ivanov (1999) [Resumo publicado em evento] -
Isolação Elétrica em GaAs irradiado com prótons: estudo dos defeitos utilizando Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS)
Adam, Matheus Coelho; Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2009) [Resumo publicado em evento] -
Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2008) [Tese]O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas ...