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Dynamics of thermal growth of silicon oxide films on Si

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Dynamics of thermal growth of silicon oxide films on Si

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Título Dynamics of thermal growth of silicon oxide films on Si
Autor Almeida, Rita Maria Cunha de
Goncalves, Sebastian
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Thermal growth of silicon oxide films on Si in dry O₂ is modeled as a dynamical system, assuming that it is basically a reaction-diffusion phenomenon. Relevant findings of the last decade are incorporated, as structure and composition of the oxide/Si interface and O₂ transport and reaction at initial stages of growth. The present model departs from the well-established Deal and Grove framework [B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965)] indicating that its basic assumptions, steady-state regime, and reaction between O₂ and Si at a sharp oxide/Si interface are only attained asymptotically. Scaling properties of these model equations are explored, and experimental growth kinetics, obtained for a wide range of growth parameters including the small thickness range, are shown to be well described by the model.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 61, no. 19 (May 2000), p. 12992-12999
Assunto Difusao
Expansao termica
Filmes finos
Oxidacao
Semicondutores elementares
Silicio
Silicones
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/103853
Arquivos Descrição Formato
000274747.pdf (146.3Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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