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Thermal stability of the electrical isolation in n-type gallium arsenide layers irradiated with H, He, and B ions

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Thermal stability of the electrical isolation in n-type gallium arsenide layers irradiated with H, He, and B ions

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Título Thermal stability of the electrical isolation in n-type gallium arsenide layers irradiated with H, He, and B ions
Autor Souza, Joel Pereira de
Danilov, Iuri
Boudinov, Henri Ivanov
Abstract The stability of the electrical isolation in n-type GaAs layers irradiated with ions of different mass is compared. The irradiations were performed with proper doses of 1H+, 4He+, or 11B+ ions to create specific damage concentration level which lead to: (i) the trapping of practically all the carriers (Rs ≈108 Ω/), (ii) the onset of hopping conduction (Rs ≈108 Ω/), and (iii) a significant hopping conduction (Rs ≈106 Ω/). Irrespectively of the ion mass, the temperature range for which the isolation is preserved, i.e., Rs>108 Ω/, extends up to 200 or ≈ 600 °C, respectively, for the cases (i) and (ii). In case (iii), this range comprises temperatures from ≈ 400 to 650 °C. Annealing stages at 200 and 400 °C recover in a great extent the conductivity and improve the carrier mobility in low dose irradiated samples [case (i)]. In samples irradiated to higher doses [cases (ii) and (iii)], the conductivity recovers in a single stage.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 81, n. 2 (Jan. 1997), p. 650-655
Assunto Arseneto de galio
Bombardeamento de ions
Condutividade eletrica
Fisica da materia condensada
Mobilidade de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95367
Arquivos Descrição Formato
000188545.pdf (237.1Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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